互联网资讯:SK Hynix开始量产其新DRAMHBM2E –每秒460GB以上

产经 2021-07-25 20:16:31

互联网已经成为我们生活中不可或缺的一部分,有了互联网的同时,我们的衣、食、住、行、用都变更加丰富,那么注重互联网是我们必须要做的事情之一,SK Hynix开始量产其新DRAMHBM2E –每秒460GB以上消息是什么情况?

SK海力士宣布在去年8月宣布开发新产品仅十个月后,就开始了大规模大规模生产高速DRAM'HBM2E'。SK Hynix的HBM2E基于每引脚3.6GBps(每秒千兆位)的速度性能,每秒支持460GB(千兆字节)以上的速度,具有1,024个I / O(输入/输出)。它是业界最快的DRAM解决方案,能够每秒传输124个FHD(全高清)电影(每个3.7GB)。

SK Hynix开始量产其新DRAM:HBM2E –每秒460GB以上

SK Hynix量产HBM2E DRAM-TSV通过垂直堆叠16 GB芯片实现更高的密度

通过TSV(Through Silicon Via)技术垂直堆叠八个16GB芯片,密度为16GB,是上一代产品(HBM2)的两倍多。TSV是一种互连技术,可通过DRAM芯片上的数千个细孔连接上下芯片。

在将多个DRAM芯片堆叠在缓冲芯片上之后,它会通过贯穿整个硅片厚度的柱形路径传递数据,命令和电流。与现有的封装方法相比,它的尺寸最多可减少30%,功耗最多可减少50%。

SK Hynix开始量产其新DRAM:HBM2E –每秒460GB以上

HBM2E具有高速,大容量和低功耗的特点;它是下一代AI(人工智能)系统(包括深度学习加速器和高性能计算)的最佳内存解决方案,这些系统都需要高级计算性能。以下是SK海力士HBM2E存储器的一些关键点:

HBM(高带宽内存)

采用TSV技术的高性能,高带宽存储器产品大大加快了传统DRAM的数据处理速度。

TSV(通过硅通孔)

通过DRAM芯片上的数千个细孔连接上下芯片的互连技术。

在缓冲芯片上堆叠多个DRAM芯片后,通过贯穿整个硅片厚度的柱形路径提供数据,命令和电流。

与现有的封装方法相比,尺寸最多可减少30%,功耗最多可减少50%。

数据处理速度转换的标准

1GB = 8Gb

每个引脚3.6Gbps,1024个数据I / O(输入/输出)= 3686.4Gbps

3686.4Gbps / 8 = 460.8GB / s(Gb-> GB转换)

此外,有望将其应用于Exascale超级计算机(一种高性能计算系统,每秒可以执行五百亿次计算),它将引领下一代基础和应用科学的研究,例如气候变化,生物军医和太空探索。

SK海力士执行副总裁兼首席营销官(JMO)Jonghoon Oh说:“ SK海力士一直走在技术创新的最前沿,为人类文明做出了贡献,取得了包括世界上第一个HBM产品开发在内的成就。”“随着HBM2E的大规模量产,我们将继续加强我们在高端存储器市场的影响力,并领导第四次工业革命。”

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